半導(dǎo)體材料在晶體生長和制造過程中，由于各種原因會出現(xiàn)缺陷、應(yīng)力等問題，進而影響半導(dǎo)體器件的性能。通過退火處理，可以使半導(dǎo)體材料內(nèi)部排列更加有序，改善晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)，消除應(yīng)力，修復(fù)離子注入損傷，促進雜質(zhì)的合理分布等，從而提高半導(dǎo)體器件的可靠性。

傳統(tǒng)的爐管退火工藝因升溫速率緩慢，加熱時間長，晶片在長時間受熱的情況下會出現(xiàn)雜質(zhì)擴散嚴(yán)重等問題。隨著芯片制造技術(shù)的不斷進步，對退火工藝的要求也越來越高，RTP快速退火爐的競爭優(yōu)勢越來越明顯：具有獨特的水平均溫處理技術(shù)，在退火過程中，不僅能在極短的時間內(nèi)實現(xiàn)升溫和冷卻，提升晶圓退火的效率和效果，還能同時保證晶圓表面的溫度分布均勻性和穩(wěn)定性，總體熱預(yù)算較低，可以更好地提高晶圓的性能，滿足先進半導(dǎo)體的制造需求。

另外，快速熱退火系統(tǒng)具有靈活性和可拓展性，根據(jù)不同材料的退火工藝需求進行靈活調(diào)整，晟鼎全自動雙腔RTP快速退火爐標(biāo)配兩組氣體，可拓展至6組工藝氣體，滿足不同材料的熱處理需求，具有靈活性和可拓展性。

全自動雙腔RTP快速退火爐

適用于4-12英寸硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于磷化銦、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等各類襯底和外延片)，擁有出色的熱源和雙腔結(jié)構(gòu)設(shè)計，單次可處理兩片晶圓。

配置測溫系統(tǒng)，硅片在升溫、恒溫及降溫過程中精確地獲取晶圓表面溫度數(shù)據(jù)，誤差范圍控制在±1℃以內(nèi)，保證良好的溫度重現(xiàn)性與溫度均勻性。

設(shè)備優(yōu)勢

雙腔結(jié)構(gòu)設(shè)計增加晶圓機器手，提高了生產(chǎn)效率

支持多種氣體氣氛，滿足不同材料的熱處理需求

工藝時間短，控溫精度高，具有極好的熱均勻性

具有三重安全保護措施，全方位保障儀器使用安全

行業(yè)應(yīng)用

RTP快速退火爐是目前先進半導(dǎo)體工藝中非常重要的一種工藝設(shè)備，在氧化物/氮化物生長、離子注入、ITO鍍膜退火、歐姆接觸快速合金等工藝中得到了廣泛的應(yīng)用：

①修復(fù)晶格損傷：離子注入后會產(chǎn)生位移原子、晶格點等晶格缺陷。快速退火可以修復(fù)晶格損傷，改善晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)，提高結(jié)晶質(zhì)量。

②消除應(yīng)力：晶體材料在制造過程中會產(chǎn)生一定程度的應(yīng)力，快速退火有助于消除應(yīng)力，提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能和可靠性。

③歐姆接觸快速合金：通過改變材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使金屬電極與半導(dǎo)體器件之間形成低接觸電阻，進而提高器件性能。