RTP快速退火爐助力半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2024-04-02
化合物半導體在新能源、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能等前沿技術(shù)領(lǐng)域中展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用前景和發(fā)展空間,而隨著SiC、GaN等第三代半導體材料被廣泛使用,在應(yīng)用升級的推動下,對于晶圓和化合物半導體的熱處理技術(shù)要求也越來越高。傳統(tǒng)的爐管退火工藝利用長時間的高溫處理消除離子注入損傷、應(yīng)力釋放等,但存在缺陷消除不完全、退火時間長容易導致雜質(zhì)再分布,溫場控制困難等問題。因此需要一種退火溫度可控、退火效率更高的新型退火方案。
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