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化妝品中的乳化、分散、增溶、發(fā)泡和清潔等功能都與表界面能有關，通過接觸角測量儀可以測量化妝品中原料的接觸角，從而幫助判斷和分析其潤濕和分散行為。
目前已經(jīng)發(fā)現(xiàn)至少六種導致接觸角滯后的因素。這六種因素可以分為兩類：熱動力學接觸角滯后和動力學接觸角滯后。表面能粗糙度和表面多級結構屬于熱動力學導致的接觸角滯后范疇，這兩個因素同時也是自然界中導致接觸角滯后最普遍的兩種因素；第二類，即動力學導致的接觸角滯后是通過接觸角的時間相關或者周期相關性來定義。
碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高硬度、高耐磨性和良好的化學穩(wěn)定性而備受關注，特別是在高溫、高壓和強腐蝕環(huán)境下，碳化硅（SiC）展現(xiàn)出卓越的性能，在半導體、核能、國防及空間技術等領域具有廣闊的應用前景。
接觸角測量儀通過光學投影的原理，對氣、液、固三相界面輪廓進行保真采集精密分析。接觸角測量儀測試方法包括座滴法、增液/縮液法、傾斜法、懸滴法、纖維裹附法、氣泡捕獲法、批量擬合法、插板法等。
等離子技術作為汽車行業(yè)的新興表面處理技術，可提高點膠、粘接、貼合、焊接、涂覆、封裝等工藝段質(zhì)量，滿足汽車產(chǎn)業(yè)嚴格的生產(chǎn)要求，同時為汽車廠家提高產(chǎn)品良率，達到降本增效的目的。
傳統(tǒng)的爐管退火工藝因升溫速率緩慢，加熱時間長，晶片在長時間受熱的情況下會出現(xiàn)雜質(zhì)擴散嚴重等問題。隨著芯片制造技術的不斷進步，對退火工藝的要求也越來越高，RTP快速退火爐的競爭優(yōu)勢越來越明顯：具有獨特的水平均溫處理技術，在退火過程中，不僅能在極短的時間內(nèi)實現(xiàn)升溫和冷卻，提升晶圓退火的效率和效果，還能同時保證晶圓表面的溫度分布均勻性和穩(wěn)定性，總體熱預算較低，可以更好地提高晶圓的性能，滿足先進半導體的制造需求。
